PCIM Asia Shanghai 2025 — 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会于2025年9月24至26日在上海新国际博览中心举办。作为亚洲电力电子领域学术与行业的纽带，PCIM Asia Shanghai国际研讨会邀请各领域专家学者聚首交流，发表真知灼见，助力产学研深度融合和产业蓬勃发展。会议紧紧把握碳化硅、氮化镓、功率器件、电力电子技术、材料与封装、电气化交通、AI电源与数字中心等热门话题，邀请来自高校、研究机构及领军企业的科研学者、业界领袖和技术专家分享先进技术解决方案，洞察行业未来发展趋势。

本届研讨会中，QY千亿球友会应用电子工程系2023级硕士QY千亿球友会万祥宇凭借其出色研究成果，经专家推荐与严格评审，荣获大会唯一最佳论文奖（Best Paper Award）。论文通讯作者为梁琳研究员。获奖论文题为《Research on Overcurrent Interruption Capability and Influencing Factors of SiC MOSFETs in DCCBs》（SiC MOSFET在直流断路器中的过流关断能力及影响因素研究）。该研究隶属于国家重点研发计划“万伏千安级SiC模块在直流断路器功率单元中的应用验证”课题。

论文聚焦于直流系统中关键组件——直流断路器（DCCB），探讨其在快速故障隔离与短路电流中断方面的性能。研究指出，SiC MOSFET作为一种关键功率半导体解决方案，在直流断路器中具有重要应用潜力。文章系统比较了平面型、非对称型沟槽型与双沟槽型SiC MOSFET的最大过流关断能力，并分析了三种因素对直流断路器性能的影响，为相关器件在直流断路器中的设计与优化提供了重要参考。